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AI应用持续发展，内存技术随之进步。 随着人工智能的发展，市场对内存的要求更高，三星正在向市场推出基于特定应用要求的存储组合产品。 据悉，三星最近正在研发新型存储器LLW DRAM，将高带宽、低延迟、低功耗的特性结合在一起。三星将新的内存技术定位在需要运行大型语言模型（LLM）的设备上，未来也可能出现在各种客户端工作负载中。 LLW DRAM作为一种低功耗内存，拥有宽I/O、低延迟、每个模块/堆栈提供了128GB/s的带宽，与一个128位DDR5-8000内存子系统的带宽相同。同时，LLW D

近日，三星宣布正在研发一种新型的LLW DRAM存储器，这一创新技术具有高带宽和低功耗的特性，有望引领未来内存技术的发展。 三星的新型LLW DRAM存储器将针对需要运行大型语言模型（LLM）的设备进行优化。大型语言模型在人工智能领域的应用日益广泛，而LLW DRAM的高带宽和低功耗特性，使其成为支持这些模型的理想选择。 此外，这种新型存储器也有望广泛应用于各种客户端工作负载。随着数据量的爆炸式增长，对内存技术的需求也在持续攀升。LLW DRAM凭借其出色的性能，可满足智能手机、数据中心和人工