CMOS静电和过压问题
2024-11-09对于模拟CMOS（互补对称金属氧化物半导体）而言，两大主要危害是静电和过压（信号电压超过电源电压）。了解这两大危害，用户便可以有效应对。 静电 由静电荷积累（V=q/C=1kV/nC/pF）而形成的静电电压带来的危害可能击穿栅极与衬底之间起绝缘作用的氧化物(或氮化物)薄层。这项危害在正常工作的电路中是很小的，因为栅极受片内齐纳二极管保护，它可使电荷损耗至安全水平。 然而，在插人插座时，CMOS器件与插座之间可能存在大量静电荷。如果插人插座的第一个引脚恰巧没有连接齐纳二极管保护电路，栅极上的电荷
LMC662 CMOS双运算放大器
2024-10-23一般说明 LMC662CMOS双运算放大器是单电源操作。工作电压从+5V到+15V并具有轨对轨输出摆幅和输入包括接地的共模范围。性能过去困扰CMOS放大器的局限性不是这个设计的问题。输入VOS、漂移和宽带噪声和实际负载的电压增益（2 kΩ和600Ω）均等于或优于广泛交流接受的双极等效物。这个芯片是用国家先进的双聚体制造的硅栅CMOS工艺。四CMOS操作见LMC660数据表具有相同功能的放大器。 特征 轨对轨输出摆幅 指定用于2 kΩ和600Ω负载 高压增益：126分贝 低输入偏移电压：3 mV
CMOS集成电路设计中如何在物理层上实现电阻的设计
2024-10-09在集成电路的设计中，电阻器不是主要的器件，却是必不可少的。如果设计不当，会对整个 电路有很大的影响，并且会使芯片的面积很大，从而增加成本。 目前，在设计中使用的主要有3种电阻器：多晶硅、MOS管以及电容电阻。在设计中，要根据需要灵活运用这3种电阻，使芯片的设计达到 。 1、多晶硅电阻 集成电路中的单片电阻器距离理想电阻都比较远，在标准的MOS工艺中， 理想的无源电阻器是多晶硅条。一个均匀的平板电阻可以表示为： 式中：ρ为电阻率；t为薄板厚度；R□=（ρ/t）？为薄层电阻率，单位为Ω/□；L/W
5分钟弄懂！MOS管及简单CMOS逻辑电平电路
2024-09-18现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。 01MOS管 MOS管又分为两种类型：N型和P型。 如下图所示： 以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地，称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压，称为“漏极”，漏极电压记作VDD。要使1端与3端导通，栅极2上要加高电平。 对P型管，栅极、源极、漏极分别为5端、4端、6端。要使4端与6端导通，栅极5要加低电平。 在CMOS工艺制成的逻辑器件或单片机中，N型管与P型管往往是成对出现的。同时出现的这两个CMOS管，任何时候，只要一只导
AD8601/AD8602/AD8604精密、CMOS、单电源、轨到轨 输入/输出、宽带运算放大器 产品特性低失调电压：500 μV(最大值)单电源供电：2.7 V至5.5 V低电源电流：每个放大器750 μA宽带宽：8 MHz压摆率：5 V/μs低失真无相位反转低输入电流单位增益稳定通过汽车应用认证应用电流检测条形码扫描器PA控制电池供电仪器仪表多极滤波器传感器ASIC输入或输出放大器音频概述AD8601ARTZ、AD8602ARZ和AD8604ARZ分别是单通道、双通道和四通道、轨到轨输入
详解TTL电路和CMOS电路
2024-08-09目前应用最广泛的数字电路是TTL电路和CMOS电路。 TTL—Transistor-Transistor Logic 三极管－三极管逻辑 MOS—Metal-Oxide Semiconductor 金属氧化物半导体晶体管 CMOS—Complementary Metal-Oxide Semiconductor互补型金属氧化物半导体晶体管 1、TTL电路 TTL电路以双极型晶体管（三极管）为开关元件，所以又称双极型集成电路。双极型数字集成电路是利用电子和空穴两种不同极性的载流子进行电传导的器件。
SONY砸9亿美元建CMOS图像传感器新厂
2024-07-22日本主要消费电子公司索尼(SONY)将在长崎县建立一家新工厂，生产智能手机镜头不可或缺的图像传感半导体。索尼乐观地认为，未来5G普及后，手机硬件对高端相机的需求将会增加，因此决定注资。日经新闻报道称，索尼将在下一财年投资1000亿日元(约合9.18亿美元)，最早将于2021年4月开始生产。 索尼已经12年没有建新工厂了，这将是未来5年的第一个。目前，智能手机需要越来越多的摄像头功能，每部手机都有两到三个摄像头。索尼认为图像传感器市场将继续增长。此外，随着未来5G网络的普及，对图像传感器的需求只
CMOS传感器供不应求！价格罕见连续5季未下跌
2024-07-17据雅虎新闻报道，用于智能手机相机的图像传感器本季(2019年10至12月)交易价格已敲定将同于前一季(2019年7-9月)水平，而1300万像素的CMOS图像传感器本季单价预计将为1.7美元左右，价格将连续第5季呈现持平。 报道指出，电子零部件产品因量产效果成本降低，价格逐步下滑是常态，而CMOS价格维持持平状态实属罕见。 究其原因，智能手机销售虽然饱和，但因搭载的镜头数量增加，带动了CMOS需求持续攀高。 CMOS厂商虽有增加出货量，然而供给仍是追不上需求增加的速度，导致市场上持续缺货，缺货
LMC6032 CMOS双运算放大器
2024-06-17一般说明 LMC6032是一个CMOS双运算放大器可从单电源或双电源运行。它的性能特性包括输入共模范围接地、低输入偏置电流和高电压进入真实负载，例如2 kΩ和600Ω。这个芯片是用国家先进的双聚体制造的硅栅CMOS工艺。参见LMC6034数据表了解CMOS四元运算具有相同功能的放大器。为了更高的性能特性参考LMC662。 特征 指定用于2 kΩ和600Ω负载 高压增益：126分贝 低偏移电压漂移：2.3微伏/摄氏度 超低输入偏置电流：40fa 输入共模范围包括从+5V到+15V电源的V#872
CD4011BM96是一个CMOS四路2输入与非门
2024-06-17CD4011BM96产品概述 CD4011BM96是一个CMOS四路2输入与非门。该器件为系统设计者提供了NAND功能的直接实现，并补充了现有的CMOS门族。所有输入和输出都被缓冲。该装置具有标准化和对称的输出特性。 .60ns传播延迟时间。100%测试20伏时的静态电流。2.5在vdd=15伏噪声容限下。5伏、10伏和15伏参数额定值。满足jedec第13b号暂定标准的所有要求。绿色产品和无sb/br 型号CD4011BM96 制造商Texas Instruments 分类逻辑芯片 封装 S